為你介紹ATOS電磁閥各種參數(shù)的
    ATOS電磁閥需要采用長頸閥蓋結(jié)構，其日的是減少外界傳入裝置中的熱量；填料箱部位的溫度在0℃以上，使填料可以正常工作；防止因填料函部分過冷而使處在填料函部位的閥桿以及閥蓋上部的零件結(jié)霜或凍結(jié)。
    長頸閥蓋的設計主要是頸部長度L的設計，L指的是填料函底部到上密封座上表面的距離，它和材料的導熱系數(shù)、導熱面積及表面散熱系數(shù)、散熱面積等因素有關，計算比較繁瑣，般由實驗法求得。
    ATOS電磁閥泄壓部件的分析
    異常升壓的問題般只存在于低溫閘閥中。當閘閥閘板關閉后，殘留在閥體中腔的低溫介質(zhì)從周圍環(huán)境中吸收熱量，迅速汽化，在閥體內(nèi)產(chǎn)生很高的壓強。異常升壓的危害很大，它可能將閘板緊緊地壓在閥座上，導致閘板卡死，使閥門不能正常工作，也可能沖壞填料和法蘭墊片，甚引起閥體。因此必須采取措施加以避免。
    常用的措施是設計泄壓孔和設置旁路系統(tǒng)。對小口徑閥門（DN≤300mm）可以直接在閘板靠近高壓側(cè)（即進口端）設計個泄壓孔，對于大口徑閥門則需增加旁路系統(tǒng)。對于增加了泄壓孔或旁路系統(tǒng)的低溫閥門必須標明介質(zhì)流向。
    ATOS電磁閥上密封裝置的設計
    在閥門全開時，阻止工作介質(zhì)向填料函處泄漏的種裝置稱為上密封裝置。
    上密封裝置有兩個作用。上密封裝置可以減小工作介質(zhì)對填料的損壞。工業(yè)閥門在大多數(shù)工作時間處于開啟狀態(tài)，如無上密封裝置，則介質(zhì)壓力直接作用于填料。填料長期處于受壓狀態(tài)，易老化。二，當填料處有泄漏時，全開閥門，使上密封裝置處于工作狀態(tài)，就可以帶壓進行填料更換。因此，對于閘閥和截止閥都規(guī)定要有上密封裝置。
    上密封面可用在閥蓋上堆焊鉆鉻鎢硬質(zhì)合金，然后精加工、研磨而成的工藝制得（對于奧氏體不銹鋼材料的閥蓋，可直接在閥蓋上加工上密封面），也可在專門的上密封座上研磨而成。
    ATOS電磁閥結(jié)構設計時需注意的問題和要求
    （1）低溫閥門關閉后，殘留在閥體中的低溫介質(zhì)因溫度升高而迅速氣化，造成閥體內(nèi)部異常升壓的問題；
    （2）低溫對填料函密封的不利影響；
    （3）零部件冷變形對閥門的有害影響；
    （4）低溫介質(zhì)對零部件的防爆要求等。
    （5）閥體應能充分承受溫度變化而引起的膨脹、收縮，且閥座部分的結(jié)構不會因溫度變化而產(chǎn)生變形；
    （6）采用能保護填料函的長頸閥蓋結(jié)構；
    （7）采用無論溫度如何變化均能保持密封的閥瓣，例如閘閥采用彈性閘板和開式閘板、截止閥采用錐形閥瓣等；
    （8）采用上密封結(jié)構；
    （9）采用鉆鉻鎢硬質(zhì)合金堆焊結(jié)構的閥座、閥瓣密封面；
    （10）采用泄壓孔防止異常升壓，泄壓孔開設位置視閥門結(jié)構而定，可以設在閥體上，也可以設在閘板上。
    ATOS電磁閥的故障原因分析
    ATOS電磁閥在市面上的發(fā)展快速，但也存在著些問題。低溫閥門產(chǎn)生泄漏的原因主要有兩種情況，是內(nèi)漏；二是外漏。
    1．ATOS電磁閥的內(nèi)漏原因分析
    低溫閥門產(chǎn)生內(nèi)漏的主要原因是密封副在低溫狀態(tài)下產(chǎn)生變形所致。當介質(zhì)溫度下降到使材料產(chǎn)生相變時造成體積變化，使原本研磨精度很高的密封面產(chǎn)生翹曲變形而造成低溫密封不良。我們曾對DN250閥門進行低溫試驗，介質(zhì)為液氮（-196℃）蝶板材料為ATOS電磁閥發(fā)現(xiàn)密封面翹曲變形量達0.12mm左右，這是造成內(nèi)漏的主要原因。
    2．低溫ATOS電磁閥的外漏原因分析
    是由于閥門與管路采用法蘭連接方式時，由于連接墊料、連接螺栓、以及連接件在低溫下材料之間收縮不同步產(chǎn)生松弛而導泄漏。因此我們把閥體與管路的連接方式由法蘭連接改為焊接結(jié)構，避免了低溫泄漏。二是由于是閥桿與填料處的泄漏。般多數(shù)閥門的填料采用F4，因為它的自滑、摩擦系數(shù)?。▽︿摰哪Σ料禂?shù)f=0.05～0.1），又具有*的化學穩(wěn)定性，因此得到廣泛應用。但F4也有不足之處，是冷流傾向大；二是線膨脹系數(shù)大，在低溫下產(chǎn)生冷縮導致滲漏，造成閥桿處結(jié)冰，使閥門開啟失靈。為此研制的低溫蝶閥采用自縮密封結(jié)構即利用F4膨脹系數(shù)大的特點，通過予留的間隙達到常溫、低溫都可以密封的目的。